13、江崎二极管 （Tunnel Diode）它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其 P 型区的 N 型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生的。如发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01 微米以下）；简并半导体 P 型区和 N 型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”表示“峰”；而下标“V”表示“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。变容二极管，就选深圳市凯轩业科技有限公司。湖南变容二极管有哪些
9、频率倍增用二极管对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间 trr 短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显示地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因 tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。 湖南变容二极管有哪些线性稳压电源，是指调整管工作在线性状态下的直流稳压电源。选深圳市凯轩业电子。
较高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的较大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。较大反向电流IR：它是二极管在较高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。这个电流值越小，表明二极管质量越好。击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。较高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的较高工作频率。
一般的二极管是利用PN接合来发挥二极管特性，而肖特基势垒二极管是利用了金属和半导体接合产生的肖特基势垒。与一般的PN结二极管相比，具有正向电压 (VF) 低，开关速度快的特点。但漏电流 (IR) 大，有如果热设计错误则引起热失控的缺点。肖特基势垒二极管在特性上会因正向电流大而导致发热。发热则漏电流 (IR) 变大，同时外壳温度、环境温度也上升。如果热设计错误，发热将高于散热，达不到热平衡持续发热。其结果漏电流 (IR) 也持续增加，较终元器件遭到损坏。这种现象叫做热失控。使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。品质信赖之选，专业变容二极管请选择深圳市凯轩业电子科技有限公司。
功率的区分实际上就是电流的区分，大功率就是流过电流大的，小功率就相反，就是流过电流小的。简单举个例，如下图为1N400系列二极管的参数，如下图可以看出IF为1A，而1N400系列二极管的管压降为0.7V，P=UI,所以可得为0.7W。所以功率的大小就可以通过上述方式计算可得。较大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的较大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。变容二极管，就选深圳市凯轩业科技，用户的信赖之选，欢迎新老客户来电咨询！湖南变容二极管有哪些
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根据特性分类点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。1、一般用点接触型二极管这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A 等等属于这一类。2、高反向耐压点接触型二极管是较大峰值反向电压和较大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有 SD38、1N38A、OA81 等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。湖南变容二极管有哪些
