场效应管注意事项:(1)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。(2)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,较大功率才能达到30W。(3)多...
查看详细 >>二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生较早的半导体器件之一,其应用也非常普遍。二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压...
查看详细 >>结型场效应管(JFET):1、结型场效应管的分类:结型场效应管有两种结构形式,它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极,它们是:栅极;漏极;源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例),N沟道结构型场效应管的结构及符号,由于PN结中的...
查看详细 >>什么是三极管?三极管是一种电子元件,也被称为晶体三极管。它由三个掺杂不同类型半导体材料制成,主要用于放大电路和开关电路中。三极管是现代电子技术中较重要的器件之一,普遍应用于各种电子设备中。三极管的工作原理:三极管有三个区域:基区、发射区和集电区。基区和集电区都是掺杂相反类型的半导体材料,而发射区则是另一种掺杂类型的半导体材料。当一个正向电...
查看详细 >>三极管三种工作状态电流特征,三极管有三种工作状态:截止、放大、饱和。用于不同目的的三极管其工作状态不同。三极管电流方向识别,三极管电路符号中发射箭头的方向表示三极管各电极电流流动的方向。什么是三极管,三极管(Transistor),是一种用于信号放大、开关、调制的半导体器件。它由两个PN结组成,通常用硅、锗两种材料制成。相对于电子管,它存...
查看详细 >>三极管的起源,1947年12月23日,巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应,这个器件就叫晶体管。三极管的发展沿革,在晶体管电子流出端的衬底外,沉积一层对应材料,当电子流过时,需要从衬底吸入热量,这就为晶体管主要散热提供一个很好的途径,因为带...
查看详细 >>基本结构三极管的内部构造非常简单,主要由三部分构成:基区:由pn型材料组成、起导电作用的部分称为本征层;集电极和发射极:分别由n型和p型的两种半导体制成、起开关作用的部分称为功能层或栅栏层;沟道和耗尽区:两个相邻的pn结之间有一条很窄的过渡区域叫做沟道。功能特点1.工作频率高;2.体积小;3.耗能低;4.动态特性好;5.稳定性好;6.噪声...
查看详细 >>如何看贴片三极管的型号?由于贴片三极管的体积很小,无法标注完整型号,故不少厂家都采用丝印来表示贴片三极管的型号。NPN型三极管是指由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成的三极管;也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中较重要的器件。三极管是电子电路中较重要的器件,它较主要的功能是电流放大和开关作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信...
查看详细 >>静态电特性:注①:Vgs(off)其实就是开启电压Vgs(th),只不过这里看的角度不一样。注②:看完前文的读者应该知道为什么这里两个Rds(on)大小有差异,不知道的回去前面重新看。动态点特性:注①:Ciss = Cgs + Cgd ;Coss = Cds ;Crss = Cgd;注②:MOS管开启速度较主要关注的参数是Qg,也就是形成...
查看详细 >>测试步骤:MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。其步骤如下:假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。1、把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则MOS管漏电,不变则完好。2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,假如指针立刻返回无限大,则MOS完好。3、把红笔接到M...
查看详细 >>导通电阻(R_DS(on)):场效应管导通时的漏极与源极之间的电阻。它决定了电流通过器件时的压降和功耗,较小的导通电阻意味着较低的功耗和较高的电流驱动能力。较大漏极电流(I_D(max)):场效应管能够承受的较大电流,超过这个电流值可能会导致器件过热、性能退化甚至长久损坏。较大漏极-源极电压(V_DS(max)):场效应管能够承受的较大电...
查看详细 >>场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID, 用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压进行控制”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即...
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