原子层沉积技术凭借其独特的表面化学生长原理、亚纳米膜厚的精确控制性以及适合复杂三维高深宽比表面沉积,自截止生长等特点,特别适合薄层薄膜材料的制备。例如:S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸盐(ODPA)对Cu的选择性吸附,在预先吸附有ODPA分子的衬底表面进行ALD沉积Al2O3,有效避免了Al2O3在Cu表面沉积,从而得到被高k绝缘材料Al2O3所间隔的空间选择性暴露表面Cu的薄膜材料。此外,电镜照片表明该沉积方法的区域选择性得到了有效保证。通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面,称为蒸发镀膜。无锡UV真空镀膜
电子束蒸发蒸镀如钨(W)、钼(Mo)等高熔点材料,需要在坩埚的结构上做一定的改进,以提高镀膜的效率。高熔点的材料采用锭或者颗粒状放在坩埚当中,因为水冷坩埚导热过快,材料难以达到其蒸发的温度。经过实验的验证,蒸发高熔点的材料可以用薄片来蒸镀,将1mm材料薄片架空于碳坩埚上沿,薄片只能通过坩埚边沿来导热,散热速率慢,有利于达到材料蒸发的熔点。经验证,采用此种方式镀膜,薄膜均匀性良好,采用此方法可满足蒸镀50nm以下的材料薄膜。无锡UV真空镀膜真空镀膜设备膜层厚度过厚会带一点黑色,但是是金属本色黑色。
ALD是一种薄膜形成方法,其中将多种气相原料(前体)交替暴露于基板表面以形成膜。与CVD不同,不同类型的前驱物不会同时进入反应室,而是作为单独的步骤引入(脉冲)和排出(吹扫)。在每个脉冲中,前体分子在基材表面上以自控方式起作用,并且当表面上不存在可吸附位时,反应结束。因此,一个周期中的产品成膜量由前体分子和基板表面分子如何化学键合来定义。因此,通过控制循环次数,可以在具有任意结构和尺寸的基板上形成高精度且均匀的膜。
利用PECVD生长的氧化硅薄膜具有以下优点:1.均匀性和重复性好,可大面积成膜,适合批量生长2.可在低温下成膜,对基底要求比较低3.台阶覆盖性比较好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生长方法阶段 5.应用范围广,设备简单,易于产业化。评价氧化硅薄膜的质量,简单的方法是采用BOE腐蚀氧化硅薄膜,腐蚀速率越慢,薄膜质量越致密,反之,腐蚀速率越快,薄膜质量越差。另外,沉积速率的快慢也会影响到薄膜的质量,沉积速率过快,会导致氧化硅薄膜速率过快,说明薄膜质量比较差。真空镀膜中离子镀的镀层组织致密、无小孔、无气泡、厚度均匀。
磁控溅射的工作原理是指电子在外加电场的作用下,在飞向衬底过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向衬底,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场的作用下沉积在衬底上。由于该电子的能量很低,传递给衬底的能量很小,致使衬底温升较低。分子束外延是一种很特殊的真空镀膜工艺。无锡UV真空镀膜
真空镀膜中等离子体增强化学气相沉积可在较低温度下形成固体膜。无锡UV真空镀膜
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。无锡UV真空镀膜
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