常州二极管定制

接面电压，当二极管的P-N结处于正向偏置时，必须有相当的电压被用来贯通耗尽区，导致形成一反向的电压源，此电压源的电压就称为障壁电压，硅二极管的障壁电压约0.6V～0.7V，锗二极管的障壁电压约0.3～0.4V。种类：依照材料及发展年代分类：二极真空管；锗二极管；硒二极管；硅二极管；砷化镓二极管。依照应用及特性分类：PN结二极管（PN Diode），施加正向偏置，利用半导体中PN接合的整流性质，是较基本的半导体二极管，常见应用于整流方面以及与电感并联保护其他元件用。细节请参照PN结的条目。二极管在电路中的位置和方向对电路功能有重要影响。常州二极管定制

二极管概述，二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。晶体二极管的主要是PN结，关于PN结首先要了解三个概念。本征半导体：指不含任何掺杂元素的半导体，如纯硅晶片或纯锗晶片。P型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。N型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中硅Si(4+)中掺入磷P(5+)的半导体。由P型半导体和N型半导体相接触时，就产生一个独特的PN结界面，在界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。常州二极管定制在使用二极管时，应注意其极性，避免反向接入导致电路故障。

二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时，应特别注意不要超过较大整流电流和较高反向工作电压，否则将容易损坏管子。用数字表示同类型器件的不同型号用字母表示器件的类型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge.B表示P型Ge，C表示N型Si，D表示P型Si 2表示二极管，3表示三极管。普通二极管（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

PIN二极管（P-intrinsic-N Diode），PN之间一层高电阻的半导体层，使少数载流子的积蓄效果增加，逆回复时间也较长。利用正向偏置时高频率信号较容易通过的性质，用于天线的频带切换以及高频率开关。耿效应二极管，应用于低功率微波振荡器。二极真空管，气体放电管整流器，针状电极和平板电极相向接近顶端放电。若把针状电极当做负极，比较低的电压就会开始放电。利用这样的性质来做当作整流器。点接触二极管，用钨之类的金属针状电极与N型半导体的表面接触，此构造的特征是寄生电容非常小。采用于锗质二极管和 耿效应二极管 。矿石收音机中使用的 矿石检波器 （ 日语 ： 鉱石検波器 ） 也是一种点接触二极管。二极管正向导通时具有低电阻，反向截止时具有高电阻，具有整流和限流功能。

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。整流二极管用于将交流电信号转换为直流电信号，常用于电源和电视机等设备中。常州二极管定制

二极管的快速开关特性可用于电子开关、振荡电路等。常州二极管定制

光电二极管，光电二极管又称光敏二极管，英文名称为Photo-Diode，光电二极管是在反向电压作用之下工作的，在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。光电二极管和发光二极管外形很像，只不过前者是被动接受光源导通电路，后者是主动发出光源，因此光电二极管的发光方向是向内的，表示是外部照时进来的光源，原理图库和发光二极管有点不同。常州二极管定制