实验中我们经常使用硅光芯片耦合测试系统获得了超过50%的耦合效率测试以及低于-20dB的偏振串扰。我们还对一个基于硅条形波导的超小型偏振旋转器进行了理论分析,该器件能够实现100%的偏转转化效率,并拥有较大的制造容差。在这里,我们还对利用侧向外延生长硅光芯片耦合测试系统技术实现Ⅲ-Ⅴ材料与硅材料混集成的可行性进行了初步分析,并优化了诸如氢化物气相外延,化学物理抛光等关键工艺。在该方案中,二氧化硅掩膜被用来阻止InP种子层中的线位错在外延生长中的传播。初步实验结果和理论分析证明该集成平台对于实现InP和硅材料的混合集成具有比较大的吸引力。硅光芯片耦合测试系统的优点：稳定。四川震动硅光芯片耦合测试系统公司
硅光芯片耦合测试系统中的硅光与芯片的耦合方法及其硅光芯片,方法包括以下步骤:将硅光芯片粘贴固定在基板上,硅光芯片的端面耦合波导为悬臂梁结构,具有模斑变换器;通过图像系统,微调架将光纤端面与耦合波导的模斑变换器耦合对准,固定块从侧面紧挨光纤并固定在基板上;硅光芯片的输入端和输出端分别粘贴垫块并支撑光纤未剥除涂覆层的部分;使用微调架将光纤端面与模斑变换器区域精确对准,调节至合适耦合间距后采用紫外胶将光纤分别与固定块和垫块粘接固定;本发明方案简易可靠,工艺复杂度低,通用性好,适用于批量制作。四川震动硅光芯片耦合测试系统公司硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处：具有低开销或无开销循环及跳转的硬件支持。
硅光芯片耦合测试系统中应用到的硅光芯片是将硅光材料和器件通过特殊工艺制造的集成电路，主要由光源、调制器、探测器、无源波导器件等组成，将多种光器件集成在同一硅基衬底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、传输带宽更高等特点，因为硅光芯片以硅作为集成芯片的衬底，所以能集成更多的光器件；在光模块里面，光芯片的成本非常高，但随着大规模生产的实现，硅光芯片的低成本成了巨大优势；硅光芯片的传输性能好，因为硅光材料折射率差更大，可以实现高密度的波导和同等面积下更高的传输带宽。
我们分析了一种可以有效消除偏振相关性的偏振分级方案,并提出了两种新型结构以实现该方案中的两种关键元件。通过理论分析以及实验验证,一个基于一维光栅的偏振分束器被证明能够实现两种偏振光的有效分离。该分束器同时还能作为光纤与硅光芯片之间的高效耦合器。实验中我们获得了超过50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串扰。我们还对一个基于硅条形波导的超小型偏振旋转器进行了理论分析,该器件能够实现100%的偏转转化效率,并拥有较大的制造容差。在这里,我们还对利用侧向外延生长硅光芯片耦合测试系统技术实现Ⅲ-Ⅴ材料与硅材料混集成的可行性进行了初步分析,并优化了诸如氢化物气相外延,化学物理抛光等关键工艺。在该方案中,二氧化硅掩膜被用来阻止InP种子层中的线位错在外延生长中的传播。初步实验结果和理论分析证明该集成平台对于实现InP和硅材料的混合集成具有比较大的吸引力。硅光芯片耦合测试系统是一种用于测试硅光芯片耦合效率和性能的设备。
硅光芯片耦合测试系统系统的测试设备包括可调激光器、偏振控制器和多通道光功率计，通过光矩阵的光路切换，每一时刻在程序控制下都可以形成一个单独的测试环路。其光路如图1所示，光源出光包含两个设备，调光过程使用ASE宽光源，以保证光路通过光芯片后总是出光，ASE光源输出端接入1*N路耦合器；测试过程使用可调激光器，以扫描特定功率及特定波长，激光器出光后连接偏振控制器输入端，以得到特定偏振态下光信号；偏振控制器输出端接入1个N*1路光开光；切光过程通过输入端光矩阵，包含N个2*1光开关，以得到特定光源。输入光进入光芯片后由芯片输出端输出进入输出端光矩阵，包含N个2*1路光开关，用于切换输出到多通道光功率计或者PD光电二极管，分别对应测试过程与耦合过程。硅光芯片耦合测试系统一站式服务，为客户节省时间和精力。四川震动硅光芯片耦合测试系统公司
硅光芯片耦合测试系统优点：测试精确。四川震动硅光芯片耦合测试系统公司
伴随着光纤通信技术的快速发展,小到芯片间,大到数据中心间的大规模数据交换处理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互联。目前,主流的光互联技术分为两类。一类是基于III-V族半导体材料,另一类是基于硅等与现有的成熟的微电子CMOS工艺兼容的材料。基于III-V族半导体材料的光互联技术,在光学性能方面较好,但是其成本高,工艺复杂,加工困难,集成度不高的缺点限制了未来大规模光电子集成的发展。硅光芯片器件可将光子功能和智能电子结合在一起以提供潜力巨大的高速光互联的解决方案。四川震动硅光芯片耦合测试系统公司
