铝电解电容器的工作原理:具有较高的单位体积电容值，而且几乎可用于任何电子系统，包括用于过滤不需要的交流频率，以及在一些应用中用于储存能量。此外，由于它提供高电容值和低阻抗，因此也常用于DC-DC变换器、逆变器和电源之中。2、出于效率方面的考虑，人们一直非常关注对铝电解电容器技术的改进。通过新的制造工...

许多初学者对二极管很“熟悉”，提起二极管的特性可以脱口而出它的单向导电特性，说到它在电路中的应用反应是整流，对二极管的其他特性和应用了解不多，认识上也认为掌握了二极管的单向导电特性，就能分析二极管参与的各种电路，实际上这样的想法是错误的，而且在某种程度上是害了自己，因为这种定向思维影响了对各种二极管...

电力熔断器是熔断器（fuse）的其中一种，是指当电流超过规定值时，以本身产生的热量使熔体熔断，断开电路的一种电器。熔断器是根据电流超过规定值一段时间后，以其自身产生的热量使熔体熔化，从而使电路断开；运用这种原理制成的一种电流保护器。熔断器广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中，作为短路和过...

MRO茗熔 RS96B 300A 熔断器 保险 一般而言半导体器件产生的反向击穿均是由于过电过而导致的，因此分断过电压必须满足-定的条件,即必须和半导体器件允许反向峰值电压相等或小于它的值。5.选择额定分断能力快速熔断器的额定分断能力应该大于半导体设备中发熔断时所流过的故障电流峰值，一般而...

熔断器额定电流应大于熔体额定电流，与主电器配合确定。熔断器主要由熔体、外壳和支座3部分组成，其中熔体是控制熔断特性的关键元件。熔体的材料、尺寸和形状决定了熔断特性。熔体材料分为低熔点和高熔点两类。低熔点材料如铅和铅合金，其熔点低容易熔断，由于其电阻率较大，故制成熔体的截面尺寸较大，熔断时产生的金属蒸...

晶闸管等元件通过整流来实现。除此之外整流器件还有很多，如：可关断晶闸管GTO，逆导晶闸管，双向晶闸管，整流模块，功率模块IGBT，SIT，MOSFET等等，这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅，通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件，由于它效率高，控制特性好，寿命长，体积小等优点，自上个世纪六十长代...

茗熔熔断器 RS31 3NE8 NGTC00 690V 10A 16A 20A 25A 32A 熔断器使用维修:①熔体熔断时，要认真分析熔断的原因,可能的原因有:1)短路故障或过载运行而正常熔断。2)熔体使用时间过久，熔体因受氧化或运行中温度高，使熔体特性变化而误断。3)熔体安装时有机械损...

超级电容器比电池更好？◆超级电容器不同于电池，在某些应用领域，它可能优于电池。有时将两者结合起来，将电容器的功率特性和电池的高能量存储结合起来，不失为一种更好的途径。◆超级电容器在其额定电压范围内可以被充电至任意电位，且可以完全放出。而电池则受自身化学反应限制工作在较窄的电压范围，如果过放可能造成永...

图简单地给出了晶闸管开通和关断过程的电压与电流波形。图中开通过程描述的是晶闸管门极在坐标原点时刻开始受到理想阶跃触发电流触发的情况；而关断过程描述的是对已导通的晶闸管，在外电路所施加的电压在某一时刻突然由正向变为反向的情况（如图中点划线波形）。开通过程晶闸管的开通过程就是载流子不断扩散的过程。对于晶...

少数载流子）对N-区进行电导调制，减小N-区的电阻RN，使高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。当栅射极间不加信号或加反向电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP型晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断。由此可知，IGBT的驱动原理与MOSFET基本相同。①当UCE为负时：J3结处于反偏状态，器件呈...

MCC162-12IO1可控硅/晶闸管德国艾赛斯封装可控硅模块 可控硅模块和整流二极管模块通常指各类电连接的桥臂模块、单相整流桥模块和晶闸管模块。模块通常有2种类型,即绝缘隔离型和非绝缘隔离型。前面绝缘型芯片与底盘间的绝缘耐压达到2500V有效值之上,使用非常灵便,能够将一个或多个桥臂模块...

茗熔 RS96B 300A 熔断器保险快速熔断器 用途：本系列熔断体适用于交流50Hz，额定电压至1500V，额定电流至1250A，主要用到电气线路中作为半导体设备的短路保护（aR）本系列熔断体额定分断能力至100KA。本系列熔断体符合国家标准GB13539.1/GB13539.4和国际电工委标准I...