材料创新方向可扩展至氧化铪(HfO2)高 K 介质、二维材料(MoS2)等。新兴应用领域包括量子计算中的低温 MOSFET、神经形态芯片等。产业生态中,IDM 模式与代工厂(Foundry)的竞争格局持续演变。技术趋势涵盖垂直堆叠(3D IC)、异质集成技术等。市场分析显示,全球 MOSFET 市场规模持续增长,区域分布呈现亚太地区主导、...
查看详细 >>20 世纪 60 年代,硅材料凭借区熔提纯技术(纯度达 99.99999%)和平面工艺(光刻分辨率 10μm)确立统治地位。硅整流二极管(如 1N4007)反向击穿电压突破 1000V,在工业电焊机中实现 100A 级大电流整流,效率较硒堆整流器提升 40%;硅稳压二极管(如 1N4733)利用齐纳击穿特性,将电压波动控制在 ±1% 以内...
查看详细 >>工业以太网设备的端口保护需要特殊设计的TVS解决方案。千兆以太网接口要求保护器件的结电容小于1pF,以避免影响信号完整性。为此,TVS制造商开发了多通道低电容阵列产品,可同时保护TX/RX各对差分线。这些TVS阵列通常采用紧凑的QFN或SOP封装,便于在RJ45连接器附近布局。PoE(以太网供电)端口的保护更为复杂,需要TVS既能处理数据...
查看详细 >>在电子电路设计中,TVS 瞬变抑制二极管的型是确保保护效果的关键环节。设计人员需要综合考虑电路的工作电压、持续工作电压、预期的瞬态峰值电流、脉冲宽度等参数。例如,持续工作电压应略高于电路的正常工作电压,以避免器件在正常工况下误动作;而箝位电压则需低于被保护器件的耐受电压,确保过电压到来时能有效箝位。此外,不同封装形式的 TVS 二极管(如...
查看详细 >>TVS瞬变抑制二极管的型需要考虑多个参数,包括工作电压、击穿电压、钳位电压和峰值脉冲电流等。工作电压必须高于电路的正常工作电压,以确保TVS二极管在常态下不导通。击穿电压是TVS开始动作的阈值,而钳位电压则是瞬态事件期间TVS能够限制的电压。峰值脉冲电流决定了TVS能承受的瞬态能量,型时应确保其值高于可能出现的浪涌电流。此外,封装形式也需...
查看详细 >>在智能家居的智能家电能耗优化系统领域,稳压二极管为各种能耗优化设备和算法模块提供稳定的电压。智能家电能耗优化系统需要实现对家电能耗的智能优化和管理,对电源的稳定性和可靠性要求极高。电压波动可能导致能耗优化算法执行错误、设备故障等问题,影响能源管理和节能减排效果。稳压二极管能够稳定电源电压,确保智能家电能耗优化系统正常运行。而且,随着智能家...
查看详细 >>肖特基二极管在激光二极管驱动电路中发挥着重要的保护作用。激光二极管对电压和电流的变化极为敏感,微小的电压或电流波动都可能对其造成损坏。肖特基二极管可作为反向电压保护元件,当电路中出现反向电压时,其单向导电性可阻止反向电流流入激光二极管,防止激光二极管因反向电压击穿而损坏。在电路启动或关闭瞬间,电压和电流可能会发生突变,产生较大的冲击。肖特...
查看详细 >>在电动汽车的无线充电系统中,MOSFET是功率转换和控制的关键元件。无线充电系统通过电磁感应原理实现电能的无线传输,MOSFET在发射端和接收端的功率转换电路中,实现交流 - 直流和直流 - 交流的转换。其快速开关能力和高效率特性,使无线充电系统具有较高的能量传输效率和较小的能量损耗。同时,MOSFET还能够精确控制充电功率和充电距离,确...
查看详细 >>集成电路 IC 在智能工业废气处理设备中,成为工业环保的 “高效净化助手”。废气处理设备中的传感器芯片,能够实时监测废气中的污染物成分与浓度,如二氧化硫、氮氧化物、颗粒物等。微处理器芯片根据监测数据,智能调控净化设备的运行参数,如调节吸附剂的投放量、控制催化反应温度等,确保废气处理效果始终达标。在一些先进的废气处理系统中,集成电路还支持远...
查看详细 >>肖特基二极管有单极性和双极性之分。单极性肖特基二极管具备单向导电性,电流只能从阳极流向阴极,应用于各类整流电路。在电源适配器中,它将交流电转换为直流电,为电子设备提供稳定电源。双极性肖特基二极管在特定条件下具有一定双向导电特性,不过其双向导电特性与普通二极管不同。在一些特殊电路,如双向电流限制电路中,双极性肖特基二极管可根据电路需求,在两...
查看详细 >>在智能汽车的 ADAS(高级驾驶辅助系统)中,TVS 瞬变抑制二极管是保障传感器和计算单元安全的元件。ADAS 系统集成了摄像头、雷达、激光雷达等多种传感器,这些传感器的信号传输线路和供电线路易受车载环境中的瞬态过电压影响。TVS 二极管通过并联在传感器接口和 ECU(电子控制单元)电源端,能有效抑制发动机点火、车载电子设备启停等产生的电...
查看详细 >>肖特基二极管的势垒高度对其电学性能起着关键作用。势垒高度决定了电子从金属进入半导体所需克服的能量障碍。势垒高度越高,电子越难越过势垒,正向导通压降越大,反向漏电流越小;反之,势垒高度越低,正向导通压降越小,但反向漏电流会增大。在电路设计中,需根据具体需求选择合适势垒高度的肖特基二极管。在高频开关电路中,为降低开关损耗,希望正向导通压降小,...
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