阳极键合是晶片键合的一种方法，广FAN用于微电子工业中，利用热量和静电场的结合将两个表面密封在一起。这种键合技术ZUI常用于将玻璃层密封到硅晶圆上。也称为场辅助键合或静电密封，它类似于直接键合，与大多数其他键合技术不同，它通常不需要中间层，但不同之处在于，它依赖于当离子运动时表面之间的静电吸引对组件施加高电压。可以使用阳极键合将金属键合到玻璃上，并使用玻璃的薄中间层将硅键合到硅上。但是，它特别适用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的碱金属（例如钠），以提供可移动的正离子。通常使用一种特定类型的玻璃，其中包含约3.5％的氧化钠（Na2O）。 EVG键合机跟应用相对应，键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。北京晶圆键合机
什么是YONG久键合系统呢？EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来，立即在业内掀起了市场GEMING。利用高温和受控气体环境下的高接触力，这种新颖的方法已成为当今的工艺标准，EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供ZUI佳的总拥有成本（TCO），并具有多种设计功能，可优化键合良率。针对MEMS，3D集成或高级封装的不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。 北京晶圆键合机EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计，注重用户友好性，可轻松引导操作员完成每个流程步骤。
EVG®850LT的LowTemp™等离子计获模块 2种标准工艺气体：N2和O2以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和形成气体（N2，Ar含量蕞/高为4％的气体）2） 通用质量流量控制器：蕞多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速蕞/高可达到20.000sccm 真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹配单元 清洁站 清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选） 腔室：由PP或PFA制成 清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％浓度（可选） 旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：蕞/高3000rpm（5s） 清洁臂：蕞多5条介质线（1个超音速系统使用2条线） 可选功能 ISO3mini-environment（根据ISO14644） LowTemp™等离子活化室 红外检查站。
对准晶圆键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬底zhizao，晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来，这些工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底，例如SOI（绝缘体上硅）。 主流键合工艺为：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。 键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时，EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬底智造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用很实用的技术。
共晶键合［8，9］是利用某些共晶合金熔融温度较低的特点，以其作为中间键合介质层，通过加热熔融产生金属—半导体共晶相来实现。因此，中间介质层的选取可以很大程度影响共晶键合的工艺以及键合质量。中间金属键合介质层种类很多，通常有铝、金、钛、铬、铅—锡等。虽然金—硅共熔温度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶体的一种成分即为预键合材料硅本身，可以降低键合工艺难度，且其液相粘结性好，故本文采用金—硅合金共晶相作为中间键合介质层进 行表面有微结构的硅—硅共晶键合技术的研究。而金层与 硅衬底的结合力较弱，故还要加入钛金属作为黏结层增强金层与硅衬底的结合力，同时钛也具有阻挡扩散层的作用， 可以阻止金向硅中扩散［10，11］。 晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机器。北京晶圆键合机
EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢？北京晶圆键合机
EVG®810LT技术数据晶圆直径（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp™等离子活化室工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）通用质量流量控制器：自校准（高达20.000sccm）真空系统：9x10-2mbar腔室的打开/关闭：自动化腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）可选功能：卡盘适用于不同的晶圆尺寸无金属离子活化混合气体的其他工艺气体带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3mbar基本压力符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统Si：Si/Si，Si/Si（热氧化，Si（热氧化）/Si（热氧化）TEOS/TEOS（热氧化）绝缘体锗（GeOI）的Si/GeSi/Si3N4玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃化合物半导体：GaAs，GaP，InP聚合物：PMMA，环烯烃聚合物用户可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）北京晶圆键合机
