南京双极型三极管规格

三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母B表示——B取自英文Base，基本的、基础的)，其他的两个电极分别称为集电极(用字母C表示——C取自英文Collector，收集)和发射极(用字母E表示—— E取自英文Emitter，发射)。基区和发射区之间的结成为发射结，基区和集电区之间的结成为集电结。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。三极管的基本工作原理是通过输入信号控制输出端之间的电流流动，实现放大或开关控制。南京双极型三极管规格

三极管一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极B上加一个微小的电流时，在集电极C上可以得到一个是基极电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。电流控制：NPN型三极管： 用基极B流向发射极E的电流IB，控制集电极C流向发射极E的电流IC。发射极E电位较低，正常放大时通常VC>VB>VE。PNP型三极管： 用发射极E流向基极B的电流IB，控制发射极E流向集电极C的电流IC。发射极E电位较高，正常放大时通常VC。三极管的正偏和反偏都是根据三极管的PN结来区分的，如果PN电压为正，则正偏，反之反偏。南京双极型三极管规格随着电子技术的不断发展，三极管的性能也在不断提升，为电子设备的设计提供了更多可能性。

三极管分为NPN和PNP两种类型，示意图如下所示：以下都以NPN型三极管为例说明三极管原理。三极管发射区的参杂浓度非常高，有非常多的载流子——自由电子，集电区的参杂浓度低一些，但是面积非常大，基区的厚度非常薄，厚度只有几十微米。由于电子的扩散运动以及漂移运动，PN结形成内部电场，由于三极管是NPN结构，因此内部有两个PN结，集电区和基区形成集电结，发射区和基区形成发射结，形成两个内部电场：对三极管有一些了解的朋友都知道，要想三极管工作在放大区，必须集电结反向偏置，发射结正向偏置，只有这样才能使三极管导通。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管，晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。下面一起来了解一下三极管的作用是什么。三极管的作用是什么？1、扩流。在某些情况下，可扩大电流限值或电容容量等。比如：将小功率可控硅与大功率三级管相结合，可以得到大功率可控硅，扩大了较大输出电流值;在长延时电路中，三极管可完成扩大电容容量的作用。2、代换。在一定情况下与某些电子元器件相结合可代换其它器件，完成相应功能。比如：两只三极管串联可代换调光台灯中的双向触发二极管;在某些电路中，三极管可以代换8V的稳压管，代换30V的稳压管等等。三极管的工作原理基于PNP或NPN型晶体管的导电性控制。

极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。三极管的工作速度较快，可以实现高频率的信号放大和开关。南京双极型三极管规格

三极管在放大电路中常用于电子放大器、示波器、电视机等设备中。南京双极型三极管规格

半导体三极管的好坏检测：a.先选量程：R﹡100或R﹡1K档位；b.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值。红表笔接基极，黑表笔接发射极，所测得阻值为发射极正向电阻值，若将黑表笔接集电极（红表笔不动），所测得阻值便是集电极的正向电阻值，正向电阻值愈小愈好。c.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。将黑表笔接基极，红表笔分别接发射极与集电极，所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻，反向电阻愈小愈好。d.测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反。南京双极型三极管规格