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碳化硅具有两种晶型，β-型是立方体，α＝0.4350纳米特硬。绿色至蓝黑色。介电常数7。硬度9莫斯。A-是半导体。迁移率（300K），平方厘米/（VS），400电子和50空穴，谱带间隙eV，303（0开）和2.996（300开）；有效质量0.60电子和1.00空穴，电导性，耐高温氧化性能。相对密度3.16。熔点2830℃。导热系数（500℃）22.5、（1000℃）23.7瓦特（平方米·开）。热膨胀系数：线性至100℃：5.2×10-6/℃，不溶于水、醇；溶于熔融碱金属氢氧化物。通常碳化硅在切割加工过程中，由于机械力作用，导致碳化硅微粒的球形系数、粒径和粒径分布发生变化；另外，切割液使用过程中，多晶硅被切割的粉末和其它机械杂质混于其中，形成混合性切割加工副产物。切割用碳化硅微粒要求很高的纯度以及一定的球形系数，合适的粒径分布。所以，硅片切割加工副产物不能直接回用于生产过程。碳化硅作为重要的材料，由于生产过程复杂，消耗大量的能源，价格高，所以，人们一直致力于从硅片切割加工副产物中提取高纯度、符合硅片切割加工工艺要求的碳化硅微粉。

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