防雷元器件的应用电路：单只使用：将线上的浪涌能量泄放到大地。一般线地之间使用单只气体放电管，可使用两只二极管或一只三极管，但实际上两只二极管不如一只三极管好。首先，两只气体放电管的体积比单只三极管的电路体积更大。其次，两只二极管结构特性无法完全一致，放电必定有先后，会出现瞬态差模过压的现象；而三极管不论两边是否有差异，当其中一侧开始放电，...

  市场中常见的防雷器件有以下几种：半导体放电管、陶瓷气体放电管和玻璃放电管（放电管）。在防雷设计中， 合理选择防雷元器件是不可或缺的一环，防雷元器件对保证电路稳定性非常重要。防雷元器件可以分为开关元件类、限压元件类和防过流和过热保护元件类三 大类，具体选用哪种应当根据具体的应用进行分析，合理选择。使用注意事项：1.开关元件不能单独跨接在有源...

  LED电源防雷器件高能微型贴片压敏电阻 ：这种电阻器目前均采用无铅工艺制造，其芯片为陶瓷SMD型氧化锌结构，绝缘外套保持良好的稳定的低漏电流，与其他的贴片压敏电阻器相比，高能微型贴片压敏电阻的电镀终止能够提供良好可焊性，响应时间也非常快，其本身的通流能力极好，200a（@ 8 / 20μS）；符合RoHS；符合IEC61000-4-5标准...

  ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护器件，亦称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或多路ESD保护器件。ESD静电保护二极管响应速度快（小于0.5ns）、低电容、低导通电压、高集成度、小体积、易安装...

  稳压管（zener diode），也称齐纳二极管，与普通二极管不同的是，稳压管工作在反向击穿状态时，它的工作电流在很大范围内变化而其两端的电压基本不变。标称稳定电压VZ（Nominal Zener Voltage）是稳压管很重要的参数，也是工程师在选型时首要的参数。电阻R就是稳压管的限流电阻。能够使稳压管进入稳压状态的较小电流IZ也叫膝点...

  稳压管的参数：电压温度系数：它是用来说明稳定电压值受温度变化影响的系数。不同型号的稳压管有不同的稳定电压的温度系数，且有正负之分。稳压值低于4v的稳压管，稳定电压的温度系数为负值；稳压值高于6v的稳压管，其稳定电压的温度系数为正值；介于4V和6V之间的，可能为正，也可能为负。在要求高的场合，可以用两个温度系数相反的管子串联进行补偿。额定功...

  怎么选择正确的MOSFET？1）沟道的选择，为设计选择正确器件的第1步是决定采用N沟道还是P沟道 MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要...

  MOSFET沟道的选择，为设计选择正确器件的第1步是决定采用N沟道还是P沟道 MOSFET.在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟 道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常...

  MOSFET的临界电压（threshold voltage）主要由栅极与通道材料的功函数（work function）之间的差异来决定，而因为多晶硅本质上是半导体，所以可以藉由掺杂不同极性的杂质来改变其功函数。更重要的是，因为多晶硅和底下作为通道的硅之间能隙（bandgap）相同，因此在降低PMOS或是NMOS的临界电压时可以藉由直接调整...

  为什么MOSFET的尺寸能越小越好？MOSFET的尺寸变小意味栅极面积减少，如此可以降低等效的栅极电容。此外，越小的栅极通常会有更薄的栅极氧化层，这可以让前面提到的通道单位电阻值降低。不过这样的改变同时会让栅极电容反而变得较大，但是和减少的通道电阻相比，获得的好处仍然多过坏处，而MOSFET在尺寸缩小后的切换速度也会因为上面两个因素加总而...

  数字电路对MOSFET的帮助：数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中较快的一种。MOSFET在数字信号处理上较主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构较大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic...

  常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，较常见的设计是以一条直线表示通道，两条和通道垂直的线表示源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线表示栅极，有时也会将表示通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）另外又分为NM...