企业商机
MOSFET基本参数
  • 品牌
  • SINO-IC
  • 型号
  • 齐全
  • 加工定制
  • 自动化程度
  • 全自动
  • 产品用途
  • 电子元器件
  • 厂家
  • 光宇睿芯
  • 产地
  • 上海
MOSFET企业商机

常用于MOSFET的电路符号有很多种变化,较常见的设计是以一条直线表示通道,两条和通道垂直的线表示源极与漏极,左方和通道平行而且较短的线表示栅极,有时也会将表示通道的直线以破折线代替,以区分增强型MOSFET(enhancement mode MOSFET)或是耗尽型MOSFET(depletion mode MOSFET)另外又分为NMOSFET和PMOSFET两种类型,由于集成电路芯片上的MOSFET为四端元件,所以除了栅极、源极、漏极外,尚有一基极(Bulk或是Body)。MOSFET电路符号中,从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为N型或是P型的MOSFET。双栅极MOSFET通常用在射频集成电路,这种MOSFET的两个栅极都可以控制电流大小。西安N-CHANNELMOSFET晶体管

 场效应晶体管是电压控制元件,而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用双极晶体管。2、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比双极晶体管好。3、场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而双极结型晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。因此被称之为双极型器件。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了 的应用。西安N-CHANNELMOSFET晶体管MOSFET的面积越小,制造芯片的成本就可以降低。

随著半导体制造技术的进步,对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升,此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积,很多原本 的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。MOSFET原本在数位集成电路上就有很大的竞争优势,在类比集成电路上也大量采用MOSFET之后,把这两种不同功能的电路整合起来的困难度也 的下降。另外像是某些混合信号电路(Mixed-signal circuits),如类比/数位转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC),也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。

整合MOSFET与BJT各自优点的制程技术:BiCMOS(Bipolar-CMOS)也越来越受欢迎。BJT元件在驱动大电流的能力上仍然比一般的CMOS优异,在可靠度方面也有一些优势,例如不容易被“静电放电”(ESD)破坏。所以很多同时需要复噪声号处理以及强大电流驱动能力的集成电路产品会使用BiCMOS技术来制作。随著半导体制造技术的进步,对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升,此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积,很多原本 的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。MOSFET原本在数位集成电路上就有很大的竞争优势,在类比集成电路上也大量采用MOSFET之后,把这两种不同功能的电路整合起来的困难度也 的下降。另外像是某些混合信号电路(Mixed-signal circuits),如类比/数位转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC),也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。MOS电容的特性有哪些?

DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。只考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内,必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中,这种情况会变得更加复杂。选择FET时需要考虑的因素包括额定电压、环境温度、开关频率、控制器驱动能力和散热组件面积。关键问题是,如果功耗过高且散热不足,则FET可能会过热起火。我们可以利用封装/散热组件ThetaJA或者热敏电阻、FET功耗和环境温度估算某个FET的结温。MOSFET的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数。西安N-CHANNELMOSFET晶体管

MOSFET的重要部位有哪些?西安N-CHANNELMOSFET晶体管

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