杭州低压N管MOSFET技术参数

MOSFET计算系统的散热要求，设计人员必须考虑两种不同的情况，即较坏情况和真实情况。建议采用针对较坏情况的计算结果，因为这 个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及较 大的结温。开关损耗其实也是一个很重要的指标。导通瞬间的电压电流乘积相当大，一定程度上决定了器件的开关性能。不过，如果系统对开关性能要求比较高，可以选择栅极电荷QG比较小的功率MOSFET。MOSFET结构：为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压特性等有不同的结构及工艺。杭州低压N管MOSFET技术参数

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。MOS管导通特性：导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高级驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高级驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高级驱动中，通常还是使用NMOS。杭州低压N管MOSFET技术参数在MOSFET器件应用时必须掌握在应用中如何保护器件，不使器件在瞬态变化中受损害。

数字电路对MOSFET的帮助：数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中较快的一种。MOSFET在数字信号处理上较主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构较大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门较基本的成员是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样，在逻辑转换的瞬间同一时间内必定只有一种晶体管（NMOS或是PMOS）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。

双重MOSFET（CMOS）开关为了改善前述单一MOSFET开关造成信号失真的缺点，于是使用一个PMOS加上一个NMOS的CMOS开关成为 普遍的做法。CMOS开关将PMOS与NMOS的源极与漏极分别连接在一起，而基极的接法则和NMOS与PMOS的传统接法相同。当输入电压在（VDD-Vthn）和（VSS+Vthp）时，PMOS与NMOS都导通，而输入小于（VSS+Vthp）时，只有NMOS导通，输入大于（VDD-Vthn）时只有PMOS导通。这样做的好处是在大部分的输入电压下，PMOS与NMOS皆同时导通，如果任一边的导通电阻上升，则另一边的导通电阻就会下降，所以开关的电阻几乎可以保持定值，减少信号失真。MOSFET较常见的设计是以一条直线表示通道，两条和通道垂直的线表示源极与漏极。

MOSFET也被称为电压控制器件，因为栅极的电压量控制着电流从漏极到源极的流动。同样，没有电流从栅极流出。还有另一种称为耗尽型的MOSFET。除了在掺杂时也形成沟道以外，与增强型相似，即，默认情况下，耗尽型存在由增强型的栅极电压形成的沟道，所有其他工作原理都相同，不同的是，耗尽型需要一个负栅极电压来关闭它，它通常打开（常闭），而增强型通常关闭（常开）。每个电路符号均有四个端子，即源极，栅极，漏极和衬底，其中，源极和衬底内部连接。如果箭头指向衬底，则其N沟道或电子流向栅极以形成N沟道，否则，其P沟道或电子从栅极流走以形成P沟道。MOSFET作为开关时源极与漏极的分别和其他应用是不相同的，信号从MOSFET栅极以外的任一端进出。杭州低压N管MOSFET技术参数

MOSFET是一种可以普遍使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。杭州低压N管MOSFET技术参数

常用于MOSFET的电路符号有很多种变化， 常见的设计是以一条直线 通道，两条和通道垂直的线 源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线 栅极，如下图所示。有时也会将 通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）另外又分为NMOSFET和PMOSFET两种类型，电路符号如图所示（箭头的方向不同）。由于集成电路芯片上的MOSFET为四端元件，所以除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极（Bulk或是Body）。MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为N型或是P型的MOSFET。箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（ 此元件的通道为P型）杭州低压N管MOSFET技术参数

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